1月15日，英唐智控发布公告称，公司与SiC研发平台上海芯石签订了《认购协议》，与其大股东签订了《股份转让协议》，拟以总价1.68亿元，通过认购及受让合计获得上海芯石689.82万股股份，占其总股本的40%，为第一大股东，并实现对上海芯石的控股。
据披露，早在去年3月，英唐智控为了向上游半导体纵向延伸的战略布局，与Chang York Yuan（以下简称“张远”）、G Tech Systems Group Inc.,（以下简称“GTSGI”）签署《合作协议》，根据《合作协议》，公司应于英唐微技术有限公司（以下简称“英唐微技术”或“MTC”） 股权收购交割日起30天内受让上海芯石10%-20%的股权。
英唐智控表示，为更好地匹配公司的战略布局，实现公司与上海芯石利益的高度统一，并深度绑定上海芯石管理及技术团队，自公司收购完成英唐微技术后，公司与原上海芯石控股股东北京吉泰科源科技有限公司（以下简称“吉泰科源”）、吉泰科源股东以及原《合作协议》各签署方一直就参股上海芯石10%-20%股权的方案升级为收购其多数股权并实现控股的方案进行协商。2020年11月16日，各方签订了《关于的补充协议》（以下简称“《补充协议》”），就控股方案达成初步意见。
公告显示，上海芯石在半导体功率器件芯片尤其是肖特基二极管芯片领域具有十几年的技术储备及行业经验，目前业务产品主要覆盖两大类别：Si类（SBD、FRED、MOSFET、IGBT、ESD等功率芯片产品）、SiC类：（SiC-SBD、SiC-MOSFET）。其中在SiC-SBD领域成功开发了600V、1200V、1700V、3300V的产品，并已经实现了部分SiC型号产品的小批量量产。目前SiC功率器件的产品设计开发能力处于市场领先水平。
据了解，英唐智控自2019年开启向上游半导体芯片领域延伸的战略转型道路以来，围绕SiC等第三代半导体器件产品持续开展产业布局，正在逐步打造从设计、制造到销售的全产业链。
在生产制造方面，英唐智控正在通过日本英唐微技术现有硅基器件产品线进行部分改造，使其兼容生产SiC器件产品能力从而实现国内主导设计日本辅助设计制造的链条。在英唐微技术现有生产线第一阶段改造完成后，英唐智控将拥有完全自主的SiC器件生产能力。据分析，日本SiC产线改造的目的，一方面是为了满足前期英唐智控产能的需求，另一方面也是其低成本练兵的过程；最终为英唐在中国这个全球最大的SiC市场建立更大规模的SiC产线培养专业的产业人员，积累关键的工艺制程经验。
在SiC器件的研发设计方面，上海芯石会成为英唐智控的国内研发设计核心平台、英唐微技术会成为英唐智控在日本甚至境外重要研发设计支持平台。英唐智控将通过持续的人才吸收培养和产业布局，不断加强公司在SiC及相关产品第三代半导体领域的研发和设计能力。
英唐智控表示，公司将以英唐微技术和上海芯石为平台，通过持续的人才吸收培养和产业布局，不断加强公司在SiC等第三代半导体领域的设计及制造能力。在当前半导体芯片产品国产替代给予了国内半导体芯片企业巨大发展空间的战略机遇期，公司作为具有超过20年的电子元器件分销行业从业者，凭借在上述领域积累的丰富的客户资源，结合英唐微技术和上海芯石的制造、设计能力，公司有望加快实现自身半导体研发、生产和销售的全产业链条布局。
