8月6日消息，市场研究机构Yole Group公布的最新报告显示，得益于人工智能对于存储芯片及HBM（高带宽内存）需求的大涨，预计2025年全球存储芯片市场销售额将由2023年960亿美元增长到超2340亿美元。预计2023年到2029年间的年复合增长率达16%。
报告称，生成式AI的迅速采用极大地推动了数据中心对高级DDR5 DRAM和HBM技术的需求，同时也引发了对支持AI服务器的企业级SSD的需求增加。此外，首批配备设备生成式AI功能的智能手机和PC正在进入市场。由于大型语言模型的参数规模增长，这些设备液需要大量容量的内存/存储，这将进一步推动移动和消费者市场的存储芯片需求。
Yole Group内存首席分析师西蒙娜·贝尔托拉齐（Simone
Bertolazzi）博士表示：“为了应对这波人工智能驱动的增长浪潮，三星、SK海力士和美光等主要参与者已将其大部分晶圆产能转向满足对HBM飙升的需求。这种转变导致了整体比特产量的减速，并加速了向非HBM产品供应不足的过渡。2022年底的减产仅在2023年第三季度生效，因为OEM库存水平开始收紧，预示着粗才能市场的反弹。”
存储行业现在的复苏速度比以前预期的要快，收入预测显示未来几年将急剧增长。到2024年，DRAM的收入预计将激增至980亿美元（同比增长88%），NAND的收入将激增至680亿美元（同比增长74%）。预计这些数字将继续上升，到2025年达到新的峰值水平，DRAM市场规模将达1370亿美元，NAND市场规模将达到830亿美元。在强劲需求的推动下，尤其是来自数据中心的需求，截至2029年的长期收入预测预计将进一步增长，DRAM和NAND的CAGR23-29估计分别为17%和16%。
在此背景下，市场研究与战略咨询公司Yole Group发布了其年度市场与技术报告《2024年存储行业状况》，对半导体内存行业进行了最广泛的概述。在其新研究中，该公司对存储市场进行了全面的概述。Yole集团的专家全面分析市场，呈现最新的技术趋势，并描述供应链和内存生态系统。
Simone Bertolazzi表示：“对专为AI训练和推理而设计的先进计算芯片的需求不断增长，加剧了三星、SK海力士和美光等顶级DRAM制造商之间的竞争。这些公司正在积极扩大其尖端HBM3/3E技术的能力，并正在迅速推进下一代HBM3E和HBM4产品的开发和验证。”
目前HBM技术已成为AI系统的关键，并且是AI技术地缘政治格局中的战略资产。由于美国的出口限制，中国被迫独立开发和制造其HBM技术，以满足其对高性能AI内部HBM的大量需求。
美国的这些限制措施促使中国国内进行了大量投资，并采取了各种举措来制造这些关键芯片。据悉，中国首批HBM2产品日趋成熟，目前正在接受部分客户的评估，并在内部用于服务器处理单元的开发。尽管落后于全球内存技术领导者六年多，但中国公司决心继续参与关键的人工智能技术，并致力于利用广阔的本地市场开发中低端人工智能加速器。此外，生产采用中国制造的DRAM和NAND和相关模块的供应商数量正在迅速增加，凸显了对本地生产的半导体存储设备的迫切需求。
